17. August 2011 | Halbleiter / Solartechnik

Neue CIS-Solartechnologie: Höhere Wirkungsgrade bei erheblich gesenkten Herstellungskosten

Teures Silizium in den Schatten gestellt / Gestartetes BMBF- Forschungsprojekt will innovatives Photovoltaik-Herstellungsverfahren für CIS-Halbleiterschichten realisieren

CIS-Photovoltaik-Anlage (Bildquelle: AVANCIS)

Das Forschungsprojekt „CIS-Clustertool“ nimmt im Rahmen der Initiative „Innovationsallianz Photovoltaik“ seine Forschungsarbeit an der Entwicklung neuer Herstellungsverfahren für Kupferindiumselenid-basierte Dünnschichthalbleiter (CIS) auf. Das Forschungsprojekt wird in einer Kooperation führender deutscher Unternehmen der Photovoltaik-Industrie verfolgt. Das Projekt soll einen wesentlichen Beitrag zur mittel- und langfristigen Sicherung der internationalen Wettbewerbsfähigkeit der deutschen Photovoltaik- und Zulieferindustrie leisten.

Der massive, nachhaltige Ausbau der Erneuerbaren Energien ist eine der zentralen Aufgaben unserer Zeit. Die direkte Umsetzung des Sonnenlichtes in Strom (Photovoltaik) stellt unter den möglichen Verfahren eine qualitativ besonders interessante Technik dar. Um die führende Rolle Deutschlands in der Hochtechnologie-Branche Photovoltaik zu sichern, haben das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und das Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit (BMU) im vergangenen Jahr das Förderprogramm „Innovationsallianz Photovoltaik“ bekanntgegeben. Aus unter 120 eingereichten Bewerbungen wurde unter anderem das Verbundprojekt CIS-Clustertool, das sich der Erforschung eines neuen Herstellungsverfahrens für CIS-Halbleiterschichten widmet, als besonders vielversprechend ausgewählt. Die CIS-Technologie – die auf einer Halbleiterschicht aus Kupfer (Cu), Indium (In) und Selen (Se) sowie Gallium (Ga) und Schwefel (S) basiert – gilt als eine der erfolgversprechendsten Photovoltaik-Technologien und bietet erhebliches Zukunftspotenzial.

CIS-Clustertool: Neue Anlagenkonzepte, neue Gesamtprozesskette und neue Analytik.

Gesamtprojektziel der Arbeitsgruppe ist die Erforschung eines neuen Herstellungsverfahrens für CIS-Halbleiterschichten zur Erreichung höchster Wirkungsgrade von Dünnschicht-Solarmodulen verbunden mit einer deutlichen Erhöhung des Anlagendurchsatzes gegenüber bestehenden Konzepten. Auf Basis der Erkenntnisse einer geplanten Demonstrationsanlage soll ein industrielles Fertigungsverfahren entwickelt werden, mit dem die Herstellungskosten von Dünnschicht - Photovoltaikmodulen pro Watt-Peak signifikant gesenkt werden können.

Zur Erreichung des Gesamtprojektziels werden folgende wesentliche Entwicklungsthemen verfolgt:




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